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厂家型号	IRGIB6B60KDPBF
文件大小	254.29Kbytes
页面数量	12页
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	IRF

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

IRGIB6B60KDPBF供应商...

更新时间：2025-10-5 14:14:00

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参考价格：￥10.4782

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