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厂家型号	IRGIB10B60KD1P
文件大小	452.82Kbytes
页面数量	13页
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	IRF

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C

• Lead-Free

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

IRGIB10B60KD1P供应商...

更新时间：2025-10-5 23:18:00

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参考价格：￥12.4428

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