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IRGI4061DPBF中文资料

厂家型号

IRGI4061DPBF

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IGBT 600V 20A W/DIODE TO-220FP

数据手册

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生产厂商

IRF

IRGI4061DPBF数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Trench IGBT Technology

• Low Switching Losses

• 5µs SCSOA

• Square RBSOA

• 100 of The Parts Tested for ILM

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode

• Tighter Distribution of Parameters

• Lead-Free Package

Benefits

• High Efficiency in a Wide Range of Applications

• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching Losses

• Rugged Transient Performance for Increased Reliability

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

• Low EMI

IRGI4061DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGI4061DPBF

  • 功能描述

    IGBT 600V 20A W/DIODE TO-220FP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-7 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
TO-220F
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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