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IRGBF30中文资料

厂家型号

IRGBF30

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功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

数据手册

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生产厂商

IRF

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Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

• Switching-loss rating includes all tail losses

• Optimized for medium operating frequency ( 1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

IRGBF30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBF30

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

更新时间:2025-10-7 10:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
TO
6000
十年配单,只做原装
IR
23+
TO
6000
原装正品,支持实单
IR
23+
TO
8000
只做原装现货
IR
23+
TO
7000
IR
25+
TO
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
INTERNATIONA
05+
原厂原装
7990
只做全新原装真实现货供应
IR
16+
TO-220
10000
全新原装现货
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
IR
24+
NA/
3264
原装现货,当天可交货,原型号开票