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IRGB4B60KD1PBF中文资料
IRGB4B60KD1PBF数据手册规格书PDF详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
IRGB4B60KD1PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGB4B60KD1PBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
INFINEON |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO220AB |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
23+ |
TO220AB |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
22+ |
TO220AB |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
IRGB4B60KD1PBF 价格
参考价格：￥9.0229
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- CC0201MRYSV6BN470
- CC0402MKYSV6BN150
- CC0603GPNPO7BN151
- CC0603MCYSV5BN680
- CC0603MKYSV6BN271
- CC0603ZPYSV5BB181
- CC0603ZRYSV5BN680
- CC0805GPNPO7BN151
- CC0805JKX7R5BB103
- CC0805KRX7R0BB103
- CC1206ZKYSV6BN390
- CC1210GRNPO7BN391
- CC1210ZPYSV5BN470
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International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
