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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced Process Technology
• Surface Mount (IRFZ24NS)
• Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
IRFZ24NL产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ24NL
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
2025+ |
TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
ADVINRMOTZET |
23+ |
TO/263 |
7000 |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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- ISL4486
Datasheet数据表PDF页码索引
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