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Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ24S)
Low-profile through-hole (IRFZ24L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
IRFZ24L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ24L
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERNATIONA |
06+ |
原厂原装 |
6016 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO262-3 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Vishay Siliconix |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IR |
2025+ |
TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
INTERNATIONAL RECTIFIER |
2023+ |
SMD |
3371 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
||||
IR |
NEW |
TO-262 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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- IRKD236/14
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- IRKH230-16D25
- IRKL4204A
- IRKU91/08AS90
- IS621
- JAN1N3019ATR
- JAN1N3021ATR
- JANTXV1N3023ATR
- JANTXV1N3024ATR
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