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IRFU9N20DPBF中文资料

厂家型号

IRFU9N20DPBF

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10

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFU9N20DPBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● Lead-Free

IRFU9N20DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFU9N20DPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-11 9:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-251
107
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
2450+
TO-251
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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24+
TO-251
811
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8650
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2022+
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30000
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TO-251
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优势
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23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
TO251
10000
原装现货假一罚十