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VDSS = 55V
RDS(on) = 57.5mΩ
ID = 5.1A
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
150°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRFL024Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFL024Z
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
13+ |
SOT-223 |
50000 |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFL024ZTRPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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IR |
25+ |
SOT-223 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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IR |
2023+原装正品现货 |
SOT223 |
5000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
|||
IR |
25+ |
SOT-223 |
35664 |
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IR |
SOT223 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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IR |
16+ |
TO-223 |
36000 |
原装正品,优势库存81 |
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INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
SOT-223 |
18000 |
原厂渠道 可含税出货 |
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INFINEON |
20+ |
SOT223 |
7500 |
全新原装公司现货
|
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IR |
24+ |
SOT-223 |
2500 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
24+ |
SOT223-3 |
15800 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
IRFL024ZTRPBF 价格
参考价格：￥0.9221
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