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IRFL024N中文资料

厂家型号

IRFL024N

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110.16Kbytes

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8

功能描述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFL024N数据手册规格书PDF详情

VDSS = 55V

RDS(on) = 0.075Ω

ID = 2.8A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Surface Mount

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

IRFL024N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFL024N

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 9:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品,实单请联系
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300000
原装正品 可含税交易
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SOT223
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IRFL024NTRPBF 价格

参考价格:¥1.1644

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