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DESCRIPTION
The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• For Automatic Insertion
• End Stackable
• P-Channel
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
IRFD9210产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFD9210
- 功能描述
MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
DIP4 |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP-4 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY |
24+ |
DIP4 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
05+ |
DIP-4 |
3000 |
全新原装 绝对有货 |
|||
IR |
25+ |
PLCC44 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
IR |
23+ |
DIP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IOR |
24+ |
DIP-4P |
80 |
||||
IR |
24+ |
原厂封装 |
1445 |
原装现货假一罚十 |
|||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
IR |
23+ |
HD-1 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
IRFD9210PBF 价格
参考价格:¥1.6826
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Datasheet数据表PDF页码索引
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