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Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRF9Z24S)
● Low-profile through-hole (IRF9Z24L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● P- Channel
● Fully Avalanche Rated
IRF9Z24S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF9Z24S
- 功能描述
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Vishay Siliconix |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
IR |
24+ |
TO-263 |
1600 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-263-3 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
160825 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY/威世 |
08+ |
TO-263 |
8000 |
深圳原装进口无铅现货 |
|||
IR |
2408+ |
TO263 |
3668 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
|||
IR |
23+ |
D2-Pak |
19526 |
||||
IR |
06+ |
TO-263 |
6000 |
全新原装 绝对有货 |
IRF9Z24STRRPBF 价格
参考价格：￥5.2834
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IRF9Z24S 芯片相关型号
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
