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IRF7665S2TR1PBF中文资料

厂家型号

IRF7665S2TR1PBF

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253Kbytes

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9

功能描述

Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications

MOSFET MOSFT 100V 14.7A 60mOhm 8.3nC Qg

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7665S2TR1PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7665S2TR1PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 100V 14.7A 60mOhm 8.3nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-30 10:07:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
InternationalRectifier
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
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500000
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原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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原装
8000
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23+
原装
7000
IR
24+
标准封装
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

IRF7665S2TR1PBF 价格

参考价格:¥8.4407

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