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IRF7663TR中文资料

厂家型号

IRF7663TR

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7

功能描述

Trench Technology

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF7663TR数据手册规格书PDF详情

Description

New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The new Micro8® package has half the footprint area of the standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (

● Trench Technology

● Ultra Low On-Resistance

● P-Channel MOSFET

● Very Small SOIC Package

● Low Profile (<1.1mm)

● Available in Tape & Reel

IRF7663TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7663TR

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-31 10:32:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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