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HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
● Application Specific MOSFETs
● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Reverse Recovery Losses
● Low Switching Losses
● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6691产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6691
- 功能描述
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
19+ |
QFN |
18974 |
||||
IR |
24+ |
DIRECTFET |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
IR |
2021+ |
QFN |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
IR |
24+ |
DIRECTFET |
45000 |
IR代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
|||
IR |
2013+ |
QFN |
59800 |
授权分销IR系列全新原装正品，现货供应IRF6691TR，正品原装，品质保证，欢迎咨询洽谈。 |
|||
IOR |
24+ |
QFN |
1772 |
||||
IR |
23+ |
QFN |
1009 |
优势库存 |
|||
IR |
24+ |
原厂封装 |
4800 |
原装现货假一罚十 |
|||
IOR |
2005 |
DIRECTFET |
612 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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- MC33887PNB/R2
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- MC68HC705C9ACB
- MC68HC705C9ACP
- MC68HC908QL4
- MC908QL4DW
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- P96
- P97
International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
