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IRF5803D2PBF中文资料

厂家型号

IRF5803D2PBF

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11

功能描述

FETKY 짰MOSFET & Schottky Diode

MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS

数据手册

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生产厂商

IRF

IRF5803D2PBF数据手册规格书PDF详情

VDSS = -40V

RDS(on) = 112mΩ

Schottky Vf = 0.51V

Description

The FETKY™ family of Co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.

● Co-packaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode

● Ideal For Buck Regulator Applications

● P-Channel HEXFET®

● Low VF Schottky Rectifier

● SO-8 Footprint

● Lead-Free

IRF5803D2PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF5803D2PBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 9:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
INFINEON
25+
SOP-8
3000
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IR
23+
SOP8
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
21+
SOP8
10000
原装现货假一罚十
Infineon Technologies
22+
8SOIC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
23+
SOP8
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon Technologies
23+
8SOIC
9000
原装正品,支持实单
IR
15+
SOP8
15
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
24+
NA/
3265
原装现货,当天可交货,原型号开票