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IRF1405Z中文资料
IRF1405Z数据手册规格书PDF详情
VDSS = 55V
RDS(on) = 4.9mΩ
ID = 75A
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
IRF1405Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1405Z
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
19+ |
TO-263-7 |
11200 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-220AB |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IR/VISHAY |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
65400 |
||||
INFINEON |
23+ |
原封 □ |
21500 |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
|||
IR |
24+ |
TO263-7P |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品,实单请联系 |
|||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263-3 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
IRF1405ZSTRLPBF 价格
参考价格:¥3.8700
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- G3VM-353E
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- JANTX1N4574-1-2
- JANTX1N4575-1-2
- NRC106K06
- R3111E131A
- R3111N141A
- R3111Q141A
- SD60C52P
- SN54LS310
- SN54LS341
- SN74AUC125RGYRG4
- SSY39L400904CU3
- SSY39L800554CU3
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在