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HGTG11N120CND中文资料

厂家型号

HGTG11N120CND

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7

功能描述

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde

数据手册

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生产厂商

INTERSIL

HGTG11N120CND数据手册规格书PDF详情

The HGTG11N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT used is the development type TA49291. The Diode used is the development type TA49189.

Features

• 43A, 1200V, TC = 25°C

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 340ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Thermal Impedance SPICE Model www.intersil.com

HGTG11N120CND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTG11N120CND

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 8:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ONSEMI/安森美
25+
TO-247
32000
ONSEMI/安森美全新特价HGTG11N120CND即刻询购立享优惠#长期有货
ON/安森美
2021+
TO-247-3
9000
原装现货,随时欢迎询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO247
15000
全新原装现货,假一赔十
ON(安森美)
2023+
TO-247AC
4550
全新原装正品
ON/安森美
2410+
TO-247
80000
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
ON/安森美
23+
25850
新到现货,只有原装
FSC
24+
TO-247
66500
郑重承诺只做原装进口现货
ON/安森美
24+
TO-247
45000
只做原装进口现货
ON(安森美)
24+
TO-247AC
8276
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

HGTG11N120CND 价格

参考价格:¥13.3116

型号:HGTG11N120CND 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有HGTG11N120CND多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,HGTG11N120CND批发/采购报价,HGTG11N120CND行情走势销售排排榜,HGTG11N120CND报价。

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