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STCV22603BY4中文资料

厂家型号

STCV22603BY4

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功能描述

GaN HEMT 50V, 600W,2.1-2.2GHz RF Power Transistor

数据手册

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生产厂商

INNOGRATION

STCV22603BY4数据手册规格书PDF详情

Description

The STCV22603BY4 is a dual path 600watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from

2.1 to 2.2GHz especially for LTE/5G

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier within 2.1-2.2GHz

 S band power amplifier

 CW or pulsed Amplifier

更新时间:2025-10-30 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STC
21+
烧录器
10000
原装,品质保证,请来电咨询
STC
2021+
烧录器
7600
原装现货,欢迎询价
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原装正品公司现货,假一赔十!
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全新原装深圳仓库现货有单必成
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2022+
烧录器
7600
原厂原装,假一罚十
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烧录器
10000
只做原装,质量保证
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原装认准芯泽盛世!
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全新原装现货
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正规渠道,只有原装!
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21+
烧录器
10000
全新原装现货