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SPI21N10中文资料

厂家型号

SPI21N10

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483.75Kbytes

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8

功能描述

SIPMOS Power-Transistor

MOSFET N-CH 100 V 21 A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

SPI21N10数据手册规格书PDF详情

Feature

• N-Channel

• Enhancement mode

• 175°C operating temperature

• Avalanche rated

• dv/dt rated

SPI21N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPI21N10

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100 V 21 A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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TO262-3
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