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SPI20N60CFD中文资料

厂家型号

SPI20N60CFD

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366.5Kbytes

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12

功能描述

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.22 Ohms

数据手册

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生产厂商

INFINEON

SPI20N60CFD数据手册规格书PDF详情

Feature

• New revolutionary high voltage technology

• Worldwide best RDS(on) in TO 220

• Ultra low gate charge

• Periodic avalanche rated

• Extreme dv/dt rated

• High peak current capability

• Intrinsic fast-recovery body diode

• Extreme low reverse recovery charge

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC0) for target applications

SPI20N60CFD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPI20N60CFD

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.22 Ohms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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