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SPI10N10L中文资料

厂家型号

SPI10N10L

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246.83Kbytes

页面数量

8

功能描述

SIPMOS Power-Transistor

MOSFET N-KANAL POWER MOS

数据手册

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生产厂商

INFINEON

SPI10N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPI10N10L

  • 功能描述

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO262-3
8866
INFINEON
25+
TO262-3
3000
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INFINEON
23+
TO262-3
8000
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INFINEON/英飞凌
22+
I2PAK
22710
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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全新原厂原装产品、公司现货销售