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SPI08N80C3中文资料
SPI08N80C3数据手册规格书PDF详情
• DESCRIPTION
• High peak current capability
• Ultra low gate charge
• Ultra low effective capacitances
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.65Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPI08N80C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPI08N80C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 800V 8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
TO-262 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-262 |
17248 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
TO-262 |
10000 |
||||
INFINEON |
24+ |
P-TO262-3-1 |
8866 |
||||
INFINEON |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
inf进口原 |
25+23+ |
TO-262 |
22987 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
INFINEON |
2017+ |
TO-262 |
19000 |
原装正品,诚信经营 |
|||
InfineonTechnologies |
2022+ |
1000 |
全新原装 货期两周 |
SPI08N80C3 价格
参考价格：￥7.9314
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Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
