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芯片资料

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位置：IPP111N15N3-G > IPP111N15N3-G详情

厂家型号	IPP111N15N3-G
文件大小	438.68Kbytes
页面数量	11页
功能描述	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	INFINEON

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

IPP111N15N3-G供应商...

更新时间：2025-10-31 16:22:00

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