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IPP110N20NA中文资料

厂家型号

IPP110N20NA

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10

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPP110N20NA数据手册规格书PDF详情

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to AEC Q101

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPP110N20NA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP110N20NA

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptimWatt™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-2-20 9:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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IPP110N20NAXK 价格

参考价格:¥24.8856

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