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IPD25N06S4L-30中文资料

厂家型号

IPD25N06S4L-30

文件大小

173.09Kbytes

页面数量

9

功能描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor

MOSFET N-Channel 60V MOSFET

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPD25N06S4L-30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD25N06S4L-30

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
25+
TO-252-3
3000
价格优势,支持实单
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
50524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
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25+
TO-252
20300
INFINEON/英飞凌原装特价IPD25N06S4L-30即刻询购立享优惠#长期有货
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
10000
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INFINEON/英飞凌
20+
SOT252
5100
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IPD25N06S4L-30 价格

参考价格:¥1.2443

型号:IPD25N06S4L-30 品牌:Infineon 备注:这里有IPD25N06S4L-30多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPD25N06S4L-30批发/采购报价,IPD25N06S4L-30行情走势销售排排榜,IPD25N06S4L-30报价。

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