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IXGX60N60B2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Uninterrup

IXYS

IXYS Corporation

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IXGX60N60B2D1

封装/外壳:TO-247-3 变式 包装:管件 描述:IGBT 600V 75A 500W PLUS247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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HiPerFASTIGBTwithDiode

Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Uninterrup

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B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

文件:514.169 Kbytes Page:6 Pages

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IXGX60N60B2D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGX60N60B2D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-17 12:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
22+
TO247
16161
原装正品现货
IXYS
21+
TO247
12588
原装现货,量大可定
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
22+
TO247
20000
保证原装正品,假一陪十
原装
1923+
TO-247
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询
IXYS
23+
TO-247
8000
只做原装现货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS
2016+
TO-247
6000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
IXYS
2018+
TO247
6528
承若只做进口原装正品假一赔十!
IXYS/艾赛斯
2023+
TO247
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品

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