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IXGR40N60BD1	HiPerFASTTMIGBT(ElectricallyIsolatedBackside) 文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGR40N60BD1	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 600V 70A 200W ISOPLUS247 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXSK40N60BD1	IGBTwithDiodePLUS247TMpackageShortCircuitSOACapability ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOA capability •MediumfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •LatestgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses •MOSGat	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXSK-40N60BD1	IGBTwithDiodePLUS247TMpackageShortCircuitSOACapability ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOA capability •MediumfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •LatestgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconduction losses •MOSGat	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXSR40N60BD1	IGBTwithDiodeISOPLUS247(ElectricallyIsolatedBackside) ShortCircuitSOACapability Features ●DCBIsolatedmountingtab ●MeetsTO-247ADpackageOutline ●Highcurrenthandlingcapability ●LatestgenerationHDMOSTMprocess ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandreson	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGX40N60BD1	HiPerFASTTMIGBTwithDiode 文件：99.01 Kbytes Page：2 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

IXGR40N60BD1产品属性

类型
描述
型号
IXGR40N60BD1
功能描述
IGBT 晶体管 70 Amps 600V 2.2 Rds
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-6-5 18:10:00

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