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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGA180N33AT

330V, 180A PDP Trench IGBT

General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.03V @ IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA180N33AT

330V, 180A PDP Trench IGBT

General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.03V @ IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA180N33ATD

330V, 180A PDP Trench IGBT

General Description Using novel trench IGBT Technology, Fairchild®’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP TV applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA180N33ATD

330 V PDP Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA180N33ATDTU

330 V PDP Trench IGBT

文件：655.99 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IXGQ180N33TB供应商更多...

更新时间：2025-8-13 16:27:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2012-11-29

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