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封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 300V 150A TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 300V 150A TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM150N30ALD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

RECTRON

IXGQ150N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGQ150N30

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 150 Amps 300V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-13 13:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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