型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGP10N60

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXYS

艾赛斯

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXYS

艾赛斯

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 20A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

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IXGP10N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGP10N60

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
3264
原装现货,当天可交货,原型号开票
NA
25+
原厂原封可拆样
54687
百分百原装现货 实单必成
IXYS/艾赛斯
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
23+
TO220
7000
IXYS/艾赛斯
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
IXYS原装
23+
TO-220
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
ROHS
56520
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IXYS
05+
原厂原装
4230
只做全新原装真实现货供应
IXYS
23+
TO220
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-220F
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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