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IXGP10N60	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT 文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGP10N60A	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT 文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGP10N60A	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 20A 100W TO220AB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
10N60	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N60	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N60	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N60	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

IXGP10N60产品属性

类型
描述
型号
IXGP10N60
制造商
IXYS
制造商全称
IXYS Corporation
功能描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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更新时间：2024-5-24 14:19:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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