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IXGN200N60B价格

参考价格:¥144.5144

型号:IXGN200N60B3 品牌:IXYS 备注:这里有IXGN200N60B多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGN200N60B批发/采购报价,IXGN200N60B行情走势销售排行榜,IXGN200N60B报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGN200N60B

HiPerFASTTM IGBT

Features • International standard package miniBLOC • Aluminium nitride isolation - high power dissipation • Isolation voltage 3000 V~ • Very high current, fast switching IGBT • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicit

IXYS

艾赛斯

IXGN200N60B

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

LITTELFUSE

力特

IXGN200N60B

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:盒 描述:IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

IGBT

DESCRIPTION · Very High Current IGBT · Low VCE(sat) for Minimum on-stateConduction Losses · Isolation Voltage 3000 V~ APPLICATIONS · Uninterruptible Power Supplies (UPS) · DC Choppers · AC Motor Speed Drives

ISC

无锡固电

PT 中频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

LITTELFUSE

力特

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:托盘 描述:IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

Features ● International standard package miniBLOC (ISOTOP compatible) ● Aluminium nitride isolation - high power dissipation ● Isolation voltage 3000 V~ ● Very high current, fast switching IGBT ● Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses ● MOS Gate turn-on - drive

IXYS

艾赛斯

HiPerFAST IGBT

Features ● International standard package miniBLOC (ISOTOP compatible) ● Aluminium nitride isolation - high power dissipation ● Isolation voltage 3000 V~ ● Very high current, fast switching IGBT ● Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses ● MOS Gate turn-on - drive

IXYS

艾赛斯

Ultrafast Rectifier Module ,200A

Features: • Two fully independent diodes • Fully insulated package • Ultrafast ,soft reverse recovery,with high operation junction temperature (150℃ Tj ) • Lo forward voltage drop • Optimized for power conversion:welding and industrial SMPS applications • Easy to use and parallel •Industr

HUIXIN

慧芯电子

HiPerFAST IGBT

文件:67.09 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGN200N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • Collector Current @ 25 ℃ (A):

    300

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.5

  • Fall Time [Inductive Load] (ns):

    183

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    SOT-227

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W):

    0.15

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ):

    4.2

  • Collector Current @ 110 ℃ (A):

    200

更新时间:2026-8-1 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
22+
SOT227
8000
原装正品支持实单
IXYS(艾赛斯)
25+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
23+
模块
350
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!
IXYS/艾赛斯
25+
MODULE
132
主打螺丝模块系列
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
22+
SOT227B
9000
原厂渠道,现货配单
24+
8866
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

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