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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXGH30N60B4

High-Gain IGBT

Medium-Speed PT Trench IGBT Features Optimized for Low Conduction and Switching Losses Square RBSOA International Standard Package

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60B4

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

LITTELFUSE

力特

IXGH30N60B4

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 66A 190W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXGH30N60B4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N60B4

  • 功能描述

    IGBT 模块 High-Gain IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-7-31 20:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
25+
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IXYS艾赛斯
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代理品牌
IXYS
23+
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IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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