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IXFP7N60P3

N通道HiPerFET

• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

LITTELFUSE

力特

IXFP7N60P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

文件:199.44 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.15Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2026-7-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LEVELON
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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IXYS
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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