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IXFN36N110P

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

·The IXYS most popular Power MOSFETs (HiPerFET™) for both hard switching and resonant mode applications, offering Low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. Available in many standard industrial packages including isolated types;

LITTELFUSE

力特

IXFN36N110P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:116.35 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

文件:195.03 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

艾赛斯

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:92.39 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN36N110P产品属性

  • 类型

    描述

  • Package Style:

    SOT-227B

更新时间:2026-7-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LEVELON
24+
BGA
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IXYS/艾赛斯
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
LEV
24+/25+
20
原装正品现货库存价优
IXF1002EC
25+
78
78
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模块
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专营模块,继电器,公司原装现货
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24+
BGA
30000
一级代理原装现货假一罚十
LEVELON
22+
BGA
20000
公司只做原装 品质保障

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