位置：首页 > IC中文资料第2533页 > IXBT24N170
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBT24N170 | High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Capacitor Disch | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXBT24N170 | 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：托盘 描述：IGBT 1700V 60A 250W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Capacitor Disch | IXYS 艾赛斯 | | ||
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IXBT24N170产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBT24N170
- 功能描述
MOSFET BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
09+ |
TO-268 |
94 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/LITTELFUSE |
1938 |
TO-247 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS |
25+ |
TO-268-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
IXBT24N170规格书下载地址
IXBT24N170参数引脚图相关
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