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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBN75N170A | BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor 文件：91.88 Kbytes Page：2 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXBN75N170A | 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 包装：散装 描述：IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | IXYS 艾赛斯 | | |
IXBN75N170A | BiMOSFET™ 高电压 | Littelfuse 力特 | | |
BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor 文件：180.58 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • International Standard Packages • High Blocking Voltage • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement • Intergrated Diode Can Be Used for Protection Applications • Capacitor Discharge • AC Switches • Swi | IXYS 艾赛斯 | | ||
BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • International Standard Packages • High Blocking Voltage • Fast Switching • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement • Intergrated Diode Can Be Used for Protection Applications • Switched-Mode and Reson | IXYS 艾赛斯 | | ||
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IXBN75N170A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBN75N170A
- 功能描述
IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
LITTELFUSE/力特 |
2450+ |
FP-case |
6540 |
只做原厂原装现货或订货假一赔十! |
|||
IXYS |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
IXYS |
25+ |
QFN |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
MODULE |
31 |
主打螺丝模块系列 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
IXBN75N170A规格书下载地址
IXBN75N170A参数引脚图相关
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2020-4-10
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