| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-126F package. Lead-free plating ; RoHS compliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
CET |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
CET |
24+ |
50000 |
|||||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
CET/華瑞 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
CET/華瑞 |
23+ |
TO-263 |
79999 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
CET/華瑞 |
23+ |
SOT-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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CET/華瑞 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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CET/華瑞 |
24+ |
NA/ |
5280 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
CET |
24+ |
TO-263 |
90000 |
进口原装现货假一罚十价格合理 |
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