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ITK31E60W | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.31 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.073Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=1.5mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.31 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
SwitchingVoltageRegulators 文件：263.34 Kbytes Page：10 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | |
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2018-12-28
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