| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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ITK14A65W | iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.23 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.23 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 210mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in | ISC 无锡固电 | | ||
iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.23 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) 文件：243.42 Kbytes Page：10 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
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2020-9-7
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