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ITK14A65W

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 210mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in

ISC

无锡固电

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

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TOSHIBA

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更新时间:2026-1-1 9:39:00
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