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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
35N06	60V N-Channel Power Mosfet Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ) Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances 100 Single Pulse avalanche energy Test	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
35N06	60V N-Channel Power Mosfet General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Swit	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
HRP35N06K	60V N-Channel Trench MOSFET 文件：812.36 Kbytes Page：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HRP35N06K	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：973.99 Kbytes Page：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
ME35N06	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.44 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更新时间：2025-8-6 19:29:01

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深圳市振宏微科技有限公司	35N60C3	TO-3PN	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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ISPPAC-CLK5610AV-01T48C十年IC，只做原装。
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2020-10-13
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深圳市鸿裕兴电子有限公司优势品牌:XILINX、ALTERA、SAMSUNG 、MICRON、HYNIX、NANYA 、ISSI、INTEL、TI、MAXIM、ADI、POWER、DAVICOM、PLX、CYPRESS、MARVELL、AOS、ON、ST、NXP、IR、FREESCALE、NS、AVAGO、TOSHIBA、DIODES 、RENESAS、 ATMEL、等 Binder,
2020-8-31
ISPLSI5128VE-100LT128，lattice专业户，现货支持
德信电子（香港）有限公司客服经理：林先生联系电话：0755-33359577
2019-7-22
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2018-12-28