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ISZ810P06LM

OptiMOSTM Power Transistor, -60 V

Features • P-Channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • 100 avalanche tested • Logic Level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

ISZ810P06LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-15 18:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NA
25+
原厂原封可拆样
54687
百分百原装现货 实单必成
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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