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ISZ15EP15LM

OptiMOSTM Power-Transistor, -150 V

Features • P-channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • 100 avalanche tested • Logic level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

ISZ15EP15LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-15 23:01:00
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