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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ISPP07N60S5 | N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.6Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perform | ISC 无锡固电 |   | |
Cool MOS??Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Optimized capacitances • Improved noise immunity | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET 文件：2.123 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Cool MOS Power Transistor 文件：652.3 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2018-12-28
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