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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ISPD02N80C3 | N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.7Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
PowerMOSFET 文件：1.87733 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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2020-8-26ISPGAL22V10C-10LJ，lattice专业户，现货支持
德信电子（香港）有限公司 客服经理：林先生 联系电话：0755-33359577
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