| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ISP13DP06NMS | 常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性 • VDS= -60V\n• Very low on-resistance RDS(on)\n• 100% avalance tested\n• Normal level\n• Qualified according to JEDEC standard\n\n优势:\n• Easy interface to MCU\n• Fast switching\n• Avalanche ruggedness; | INFINEON 英飞凌 |   | |
ISP13DP06NMS | 丝印代码：13DP06NS；OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V 文件：747.47 Kbytes Page：11 Pages | INFINEON 英飞凌 | | |
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR） 描述：MOSFET P-CH 60V SOT223 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | INFINEON 英飞凌 | |
ISP13DP06NMS产品属性
- 类型
描述
- OPN：
ISP13DP06NMSATMA1
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
PG-SOT223-3
- VDS max：
-60 V
- RDS (on) @10V max：
125 mΩ
- ID @25°C max：
-2.8 A
- QG typ @10V：
-20.2 nC
- Special Features：
Small Power
- Polarity：
P
- Operating Temperature min：
-55 °C
- Operating Temperature max：
150 °C
- VGS(th) min：
-2.1 V
- VGS(th) max：
-4 V
- Technology：
OptiMOS™
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-SOT-223-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-SOT-223-3 |
8000 |
||||
INFINEON |
23+ |
SOT-223-3 |
7000 |
||||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PG-SOT-223-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25 |
PG-SOT-223-3 |
6000 |
原装正品 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PG-SOT-223-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-SOT-223-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-SOT-223-3 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PG-SOT-223-3 |
10000 |
全新原装现货 |
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ISP13DP06NMS规格书下载地址
ISP13DP06NMS参数引脚图相关
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2020-8-26
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