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ISP04N80A

HVMOS

IPS

MOSFET 800V, 4A N-CHANNEL

FEATURE • Proprietary New Planar Technology • RDS(ON),typ.=3.7 Ω@VGS=10V • Low Gate Charge Minimize Switching Loss • Fast Recovery Body Diode DESCRIPTION The AM04N80 is available in TO-251, TO-252 Package APPLICATION • CRT • TV/Monitor

AITSEMI

创瑞科技

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:91.84 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-12-28 12:01:00
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