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ISO122USLASH1K.A | ISO122 Precision Lowest-Cost Isolation Amplifier 1 Features 1• 100% Tested for High-Voltage Breakdown • Rated 1500 Vrms • High IMR: 140 dB at 60 Hz • Bipolar Operation: VO = ±10 V • 16-Pin Plastic DIP and 28-Lead SOIC • Ease of Use: Fixed Unity Gain Configuration • 0.020% Maximum Nonlinearity • ±4.5-V to ±18-V Supply Range 2 A | TI 德州仪器 |   | |
ISO122 Precision Lowest-Cost Isolation Amplifier 1 Features 1• 100% Tested for High-Voltage Breakdown • Rated 1500 Vrms • High IMR: 140 dB at 60 Hz • Bipolar Operation: VO = ±10 V • 16-Pin Plastic DIP and 28-Lead SOIC • Ease of Use: Fixed Unity Gain Configuration • 0.020% Maximum Nonlinearity • ±4.5-V to ±18-V Supply Range 2 A | TI 德州仪器 | | ||
ISO122 Precision Lowest-Cost Isolation Amplifier 1 Features 1• 100% Tested for High-Voltage Breakdown • Rated 1500 Vrms • High IMR: 140 dB at 60 Hz • Bipolar Operation: VO = ±10 V • 16-Pin Plastic DIP and 28-Lead SOIC • Ease of Use: Fixed Unity Gain Configuration • 0.020% Maximum Nonlinearity • ±4.5-V to ±18-V Supply Range 2 A | TI 德州仪器 | | ||
Precision Lowest-Cost Isolation Amplifier 文件：1.05304 Mbytes Page：26 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-9-12
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