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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

文件:141.33 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2026-1-4 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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