型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ISL9N322AP3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

ISL9N322AP3

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

ONSEMI

安森美半导体

ISL9N322AP3

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

文件:140.13 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

ISL9N322AP3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ISL9N322AP3

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch PWM Optimized Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-31 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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